.6N60 Transistor 600V 3.8A Mosfet Canal N encapsulado

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    Especificaciones

     El P6N60FI está diseñado para soportar alta corriente y conmutación de alta velocidad. Sus aplicaciones más frecuentes son en fuentes de alimentación en modo switch, convertidores y en controles de motor e iluminación para industria.

      EncapsuladoISOWATT220
      Voltaje drenaje - fuente600V
      Voltaje compuerta - fuente±20V
      Corriente continua de drenaje
      T=25°C , I=3.8A
      T=100°C , I=2.4A
      Voltaje umbral compuerta - fuente
      2V - 4V
      Disipación de potencia
      40W
      Capacitancia de entrada
      1500pf
      Capacitancia de salida
      240
      Temperatura de funcionamiento
      -65°C - +150°C

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